전기적 과부하(EOS) 불량에 의한 불량의 약 25 % 정도 정전기 방전(ESD) 불량과 관계가 있음.

정전기 방전 (ESD) 와 전기적 과부하(EOS) 의 구분

   ESD  :  불량 발생시간에 있어서 약 1 ns ~ 1us 사이에 발생하는 불량
   EOS  :  불량 발생 시간에 있어서 1 us 이상에서 발생하는 불량

[ESD에 의한 CELL 불량]

[EOS에 의한 DIODE 불량]

IC 의 전기적 특성을 측정한 후 그 이상 여부로 Sensitivity 등급을 나눈다.

-. 조건 : C=200pF, R=0Ω, t=1sec(interval), polarity = ±, 방전횟수=5회, 시료수=5EA

-. Class A :  ESD pulse 200V 이하에서 고장발생

-. Class B :  ESD pulse 200V에서 이상무.  400V에서는 고장발생

-. Class C :  ESD pulse 400V에서 이상무.                            

전기적 과부하 (EOS; Electrical Overstress)

- 전원공급장치 스위칭
- 릴레이 동작
- 공급 전원 불안정
- 낙뢰에 의한 서어지
- 래치업 (Latch-up)
- 시험 오류 (Test error)
- 적용 오류 (Misapplication)

[ EOS를 받은 IC의 상태 ]

- 연결부 단락 (Junction short circuit)
- 금속층 단선 (Metallization open circuit)
- 산화막 게이트 파괴 (Gate oxide breakdown)

- 서어지 보호장치 (Surge protector)
- 전압 및 전류 클램프 (Voltage & current clamp)
- 부품 선정 관리 (Part selection control)

IC의 일반적인 고장MODE

1. IC Maker 요인

   1)  내습성 : 습기 침투로 인한 IC 불량
   2)  내열 응력성:열에 의해 Package 변경으로 문제 발생
   3)  배선막 산화 : IC내부의 배선이 Al(알루미늄)임.(산화되어 문제 발생)
   4)  산화막파괴 : IC내부 층간 절연물이 SiO2로 구성되나 파괴되어 발생

2. Set Maker(User) 요인

   1) EOS(Electrical Over Stress)
      회로내의 과전압,과전류(Surge)로 인한 IC 파괴 대부분의 IC불량 유형임. Jig및 회로내 L,C성분에서
      유입되어 파괴. TV에서는 기판 동작 check후 잔류전압이 남아 있을경우 이 전압이 IC를 죽이는
      파괴원으로 등장한다. CPT PCB Assy의 180V잔류전압및 고압잔류전압, 전원부(Main2,SMPS)의 각종
      전해커패시터의 잔류전압을 제거해야 하는 이유가 바로 이때문이다.
   2) Latch up
      MOS(주로Micom)에서 IC가 자체 발진되어 IC가 파괴되는 현상.5V Micom에서는 보통 12V이상의 이상전압이 VDD,D
      in,out으로 인가될때 Micom이 발진되어 VDD에서 Ground(VSS)로 무한 전류가 흘러 IC가 파괴됨.이때 Latch전압이
      12V라고 표현함. 한번 Latch up이 걸린 IC는 반드시 IC 파괴를 수반함으로 회복이 불가하다.
   3) Soft Error
       Micom IC의 오동작으로 Program Error를 의미한다.  Micom 오동작은 ESD,Soft Error등이 있다.
   4) ESD(Electronic static discharge)
       정전기(靜電氣)로 변역되며 유형에 따라 4가지의 모형(model)로 구분한다.
       ① HBM(Human body model,인체 모형)           ② CDM(Charge devide model,정전모형)
       ③ FIM(Field induced model,유전모형)         ④ MM (Machine model,기계모형)