램리서치 신제품, 3D NAND 메모리 기기 생산에 핵심 역할 담당
반도체 웨이퍼 가공장비 공급사인 램리서치(Lam Research Corp)가 3D NAND 가공 박막 증착과 플라스마 식각 제품을 새로 출시했다고 발표했다.
메모리 고객사들이 해당 기기들의 생산을 늘림에 따라, 제조 비용 절감을 위한 공정 제어의 증강이 요구된다. 당사의 새로운 시스템은 3D NAND 메모리셀을 구성하는 3가지 중요 단계에 적용되는데, 이는 각각 스택 증착(VECTOR® Q Strata™), 채널 식각(2300® Flex™ F Series), 텅스텐 워드라인 증착(ALTUS® Max ICEFill™)이다.
3D NAND 메모리 구조는 이제 다양한 종류의 적층막 생산으로 이동하고 있다. 수평면과 수직면의 공정 변동성은 중요 단계를 위해 최소화되어야 최종 생산 기기에 장착된 각 메모리셀이 균등한 성능을 발휘할 수 있다. 그렇지 않으면 한 단계의 변동성이 이후 여러 단계에서 증폭되어 오류를 발생시키고, 이는 기기의 성능 저하와 낮은 수율로 연결된다. 40개 이상의 막이 적층되기 때문에 미세한 공정 변동도 중요하게 작용한다. 당사의 신제품들은 이처럼 엄격한 제어 요구사항에 적용된다.
새로운 VECTOR Q Strata PECVD(플라스마 강화 화학증기증착기술) 시스템은 다층막 스택의 증착에 사용된다. 3D NAND 공정에서 중요한 이 단계를 위해 당사의 시스템은 옥사이드·질화물(ONON)구조와 옥사이드·폴리실리콘(OPOP)구조의 스택 증착이 가능하다.
오류 발생 방지를 위한 울트라스무드 패턴의 균일막 증착을 위해 당사 시스템의 맞춤형 챔버는 현저히 낮은 결함율과 웨이퍼 휨, 우수한 박막 응력을 제공한다. VECTOR Q Strata는 또한 업계를 선도하는 생산성으로 현존 최고의 공장 단위면적당 처리량을 보여준다. 스택에 적층되는 막의 개수가 점점 증가하면서, 비용 절감을 위한 생산성 향상은 중요한 화두로 떠오르고 있다.
다층막 스택의 증착이 완료되면 당사의 2300 Flex F Series 유전체 식각 제품은 스택 내에 수직채널 구조를 만든다. 당사의 새로운 시스템은 왜곡과 측면 손상을 최소화하면서 높은 종횡비 구조로 측각한다. 또한 웨이퍼 전체에 걸쳐 식각 프로파일 균일성을 엄격하게 통제한다. 이 능력은 미세한 편차만으로도 각 셀간의 채널 디멘션이 달라져 기기의 성능에 편차가 발생한다는 점에서 중요한 의미를 지닌다. 특허 등록된 당사의 에너지 모듈레이션 기술로 발생되는 고이온 에너지가 이러한 성능을 가능하게 만든다.
업계를 선도하는 당사 텅스텐 증착 제품군의 최신 제품인 ALTUS Max ICEFill 시스템은 기하학적으로 복잡한 3D NAND 워드라인에 보이드(void)가 생성되지 않는 필링(filling)을 통해 변동성을 제어한다. 당사의 새로운 시스템은 특허 등록된 당사의 필링 기술을 통해 앞뒤로 원자층증착(ALD) 공정을 거쳐 텅스텐 워드라인을 생성한다. ICEFill 공정은 보이드 생성 없이 수직(수평) 라인을 필링하며, 동시에 수직채널 영역의 증착을 최소화한다. 이러한 결과로 전기적 성능과 수율이 향상된다.
램리서치 Rick Gottscho 글로벌 상품 담당 전무는 “당사는 공동 연구를 통해 보다 빠르고 효과적으로 고객 대응능력을 혁신하고 있다”면서 “고객사와 연구 분야 협력사의 지원과 전문 기술을 바탕으로 당사의 신제품 3종(VECTOR Q Strata, 2300 Flex F Series, ALTUS Max ICEFill)은 3D NAND 메모리 기기 개발 및 생산에 중요한 역할을 담당하고 있다”고 밝혔다.
미래예측 진술에 관한 주의 사항
이 보도자료에 나오는 내용은 역사적 사실이 아니라 미래 예측적인 내용을 담고 있고, 민사증권 소송개혁법(Private Securities Litigation Reform Act of 1995)의 세이프 하버 규정 규정에 따른 것이다. 램리서치 제품의 성능 즉, 고객사의 제어 요구사항 대응, 성능품질, 사용자가 가동으로 얻을 수 있는 처리량, 왜곡과 손상 없는 식각, 웨이퍼 전체에 걸친 식각 프로파일 균일성, 보이드 없는 라인 필링, 또한 보다 빠르고 효과적인 혁신, 고객사가 원하는 성능 구현, 고객사 제조 라인에 사용되는 당사 제품의 중요도 등은 이러한 미래 예측적인 내용과 관련이 있으며, 여기에만 한정되어 있지 않는다. 미래 예측적인 내용은 현재의 신뢰와 기대에 근거하고 있으며, 위험과 불확실성, 조건이나 의미, 가치와 효과에 대한 변화가 있을 수 있다. 이는 램리서치가 제공하는 양식 10-K의 연례보고서에 “위험 요소”라는 제목으로 발표한 내용뿐만 아니라 미 증권거래소에 제출하는 여러 문서에도 포함되어 있다. 이러한 위험, 불확실성과 조건 및 의미, 가치, 효과의 변화는 여기에 진술된 내용과 실제 결과가 다를 수 있으며, 예상치 못한 결과를 나을 수도 있다. 독자들은 이러한 미래 예측 진술에 과도하게 의존하지 않도록 주의되며, 이 미래 예측 진술은 지정된 날짜 시점이며, 보도자료 작성시 램리서치가 갖고 있던 합당한 정보에 따른 것이다. 램리서치는 미래 예측 진술에 대해 기대하거나 혹은 기대하지 않은 일의 발생 등 보도자료 발표 이후 일어난 일이나 상황을 반영하거나 재검토할 어떠한 의무를 지지 않는다.
램리서치 소개
램리서치(Lam Research Corp)는 반도체 업계에 혁신적인 웨이퍼 제조 장비 및 서비스를 제공하는 세계적으로 신뢰받는 기업이다. 램리서치의 시장 선도적인 증착, 식각, 스트립, 웨이퍼 클리닝 솔루션은 고객사들이 모래알의 1/1000 크기의 제품을 만드는 등 더 작고, 더 빠르며, 전력 효율성이 높은 반도체를 제조해 시장에서 성공을 거둘 수 있도록 돕는다. 협력과 끊임없는 혁신, 헌신적 노력을 통해 램리서치는 원자규모의 기술력을 지닌 회사로 발돋움하고 있으며 고객사들이 미래기술을 준비할 수 있도록 하고 있다. 미국 캘리포니아 프리몬트(Fremont)에 본사를 두고 있는 램리서치는 S&P 500® 기업이며, NASDAQ Global Select Market에서 LRCX의 이름으로 거래되고 있다. 자세한 정보는 http://www.lamresearch.com에서 확인할 수 있다.
출처: 램리서치
